无锡汉咏微电子有限公司 main business: and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 江苏省无锡市锡山经济开发区友谊北路300号（东.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN203057070U | 一种具有低压低功耗电路结构的振荡器 | 2013.07.10 | 本实用新型涉及一种具有低压低功耗电路结构的振荡器，包括输入支路电路、启动控制电路、偏置电路、电容组、 |
| 2 | CN203055920U | 一种锗隧穿二极管 | 2013.07.10 | 本实用新型涉及一种锗隧穿二极管，由重掺杂N型锗片基层、重掺杂P型锗层和铝锗合金层以及氮化镓化合物层组 |
| 3 | CN203039646U | 一种高性能运算放大器 | 2013.07.03 | 本实用新型涉及一种高性能运算放大器，第一斩波调制器的输入端输入信号，第一斩波调制器依次通过集成运放差 |
| 4 | CN101916305A | 一种复杂管脚芯片的验证方法 | 2010.12.15 | 本发明提供了一种复杂管脚芯片的验证方法，采取形式验证方法，对芯片引脚接口模块的引脚与其他模块的连接关 |
| 5 | CN101872723A | 一种锗隧穿二极管及其制备方法 | 2010.10.27 | 本发明提供了一种材质更均匀，实现的隧穿器件电流密度较高的锗隧穿二极管及其制备方法，采用了简单的旋涂掺 |
| 6 | CN101841308A | 一种高性能运算放大器的结构 | 2010.09.22 | 本发明涉及一种高性能的运算放大器结构，包括斩波调制器、输入级电路、中间级增益电路与消失真电路、输出级 |
Map(The red dot in the figure below is 无锡汉咏微电子有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
猜你喜欢